Samsung Electronics сообщила о создании первого в мире прототипа 900-слойной памяти V-NAND – это один из самых амбициозных проектов в сфере хранения данных за последние годы. Разработка приближает индустрию к появлению 1000-слойных чипов памяти и способна изменить подход к производству SSD и других накопителей.
Прототип построен на технологии Cell Multi-Bonding: вместо создания единой гигантской структуры Samsung объединяет два отдельных блока по 450 слоев в один чип. Метод позволяет увеличить плотность хранения данных и одновременно снизить энергопотребление.
Как правило, разработка подобных микросхем сопровождается серьезными инженерными трудностями. При увеличении количества слоев пластины деформируются, и совместить элементы внутри чипа становится труднее. Для решения этих задач Samsung применила новую конструкцию Upper Chuck Design и систему коррекции наложения слоев Overlay Correction.
Появление 900-слойного прототипа усиливает конкуренцию на рынке NAND-памяти. Сейчас одним из лидеров отрасли считается SK Hynix – компания выпускает 321-слойные решения и работает над 400-слойными чипами. Быстро сокращает отставание и китайская YMTC – при поддержке крупных инвестиций холдинг производит все больше 294-слойной памяти.
Эксперты считают, что переход к архитектурам с сотнями слоев станет одним из важнейших направлений развития памяти для ИИ-систем, дата-центров и высокопроизводительных компьютеров. Массовое появление 1000-слойной V-NAND Samsung планирует ближе к 2030 году, но более компактные и емкие решения нового поколения могут выйти на рынок раньше.
Изображение на обложке: SamMobile
Комментарии